NCEP3065QU دیتاشیت

NCEP3065QU

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCEP3065QU
حجم فایل 84.854 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCEP3065QU

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCEP3065QU
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 55W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 34.8nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2100pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 65A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 15.5pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.9mΩ@10V,20A
  • Package: DFN-8(3.3x3.3)
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه